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            高精簡、低成本65W GaN快充方案RM6601SN+RM3410T

            來源:亞成微電子 發布時間:2020-12-10 閱讀次數:

            高精簡、低成本65W GaN快充方案RM6601SN+RM3410T
             

            1.方案介紹

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            亞成微基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高精簡低成本65W GaN快充方案,具有體積小、效率高(效率Max >93%)、待機功耗低(功耗<60mW)、成本低等特點,采用專有驅動技術,直驅E-MODE GaN功率器件,省去外置驅動器件,并通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合,實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,有效的提高了產品效率及功率密度,幫助快充電源廠商加速大功率快充量產并節省物料成本。



            2.方案特點

            ■ 輸出規格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A;

            ■ 效率(Max)>93%,待機功耗<60mW,滿足六級能效標準,EMI特性優良;

            ■ 采用專有驅動技術,直驅E-MODE GaN功率器件,提高產品效率及功率密度,簡化EMI濾波電路設計,降低EMI器件成本;

            ■ 支持CCM/QR混合模式;

            ■ 支持最大140KHz工作頻率;

            ■ 內置700V高壓啟動,集成X-CAP放電功能;

            ■ 低啟動電流和低工作電流設計;

            ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

            ■ Burst Mode去噪音;

            ■ 集成斜坡補償及高低壓補償功能;

            ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

            ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

            ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


            3.方案原理圖




            4.方案BOM

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            5.待機功耗



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            6.能效測試

            5V/3A能效測試

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            9V/3A能效測試

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            12V/3A能效測試

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            15V/3A能效測試

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            20V/3.25A能效測試

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            7.老化及溫升測試



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            8.EMI測試


            20V/3.25A(L)測試結果

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            20V/3.25A(N)測試結果


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            20V/3.25A(N)測試結果

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            20V/3.25A(L)測試結果

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            20V/3.25A(H)測試結果
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            20V/3.25A(V)測試結果
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            20V/3.25A(V)測試結果
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            20V/3.25A(H)測試結果
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