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            GaN快充|QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601X

            來源:亞成微電子 發布時間:2020-11-25 閱讀次數:

            E-Mode GaN FET直驅QR/CCM反激式電源控制芯片RM6601SN


            芯片特點
             

            高效率、大功率

            ■支持CCM/QR混合模式;

            ■支持最大140KHz工作頻率;

            ■RM6601S采用專有的分段驅動技術,可匹配coolmos設計

            RM6601SN采用專有驅動技術,直驅 E-mode GaN FET

             

            超低待機功耗

            ■ 內置700V高壓啟動;

            ■ 集成X-CAP放電功能;

            ■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

            ■ 待機功耗<65mW。

             

            優異的性能

            ■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

            ■ Burst Mode去噪音;

            ■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

            ■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

            ■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

            ■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


            原理圖
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            產品圖


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            產品系列


             

            型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
            RM6601S SSR+QR 75W SOP-8 外置MOS
            RM6601SN SSR+QR 120W SOP-8 外置GaN

             

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